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真空磁控濺射靶基距與氣壓 的關系
來源: | 發布日期:2023-08-09

真空磁控濺射 是在真空爐體內,采用物理氣相沉積的原理,大氣壓大電流的放電技術,使靶材蒸發物與氣體發生電離,再利用電電場的

加速作用,在產品表面形成薄膜,在這個過程當中有一個詞靶基距(就是真空爐體內靶材與基材之間的距離)今天我們一起來了解一下靶基距與氣壓的關系,這是森豐真空鍍膜廠家研發團隊經過一系列的測試后得出的結果:

真空磁控濺射

第一,靶基距80,120mm下不同氣壓,80mm 0.1和1Pa極端氣壓下,濺射原子到達基材邊緣和中間的沉積原子數無明顯變化;第二,靶基距一定,隨著氣壓增大,沉積薄膜的無變化;這說明氣壓增大時,濺射原子與Ar原子碰撞加劇,從而散射角度增大并沒有引起沉積原子數目發生變化;

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